I ricercatori della Soongsil University di Seoul e della Sungkyunwan University di Suwon in Corea del Sud, hanno annunciato di essere al lavoro su transistor al grafene per realizzare componenti elettronici allungabili e trasparenti che nonostante siano sottoposti a strapazzamenti non perdono le prestazioni.
Per realizzare il transistor, i ricercatori, hanno sintetizzato i singoli strati di grafene e li hanno impilati strato dopo strato su un foglio di rame. Con la fotolitografia e tecniche di taglio, hanno modellato alcuni elementi essenziali di un transistor come gli elettrodi e i canali di semiconduzione sul grafene. In questo modo i ricercatori sono riusciti a stampare i componenti su un dispositivo con il gel di ioni allungabili.
Alla fine del processo sono state riscontrate delle caratteristiche molto interessanti. I processi di stampa a bassa temperatura, rendono la fabbricazione di tale transistor al grafene molto più semplice rispetto a quelli prodotti con temperatura elevata. Inoltre un altro dettaglio da non trascurare è che i transistor realizzati con materiali semiconduttori inorganici non possono essere fabbricati con substrati di gomma per questo l’estendibilità è molto limitata.
I ricercatori affermano che è possibile allungare i dispositivi fino al 5% per un totale di 1000 volte, la perdita delle prestazioni avviene dopo numerosi allungamenti.
