Un gruppo di ricercatori dell’Università della California (UCLA) e della sudcoreana Samsung hanno creato un nuovo tipo di memoria che utilizza il grafene e il silicio per memorizzare informazioni.
Il grafene è composto da uno strato di atomi di carbonio disposti in ordine esagonale che accoppiato con il silicio diventa un materiale molto più stabile.
Il team di ricercatori ha dimostrato che utilizzando il grafene come strato di archiviazione è possibile estendere le capacità della tecnologia tradizionale. I prototipi che sono stati realizzati possono essere letti e scritti con molta meno energia rispetto alle memoria attualmente in commercio.
La caratteristica principale è che questo tipo di memoria non interferiscono tra di loro, possono durare fino a 10 anni ed hanno uno spessore al di sotto dei 10 micrometri. Attualmente non si è ancora parlato di una produzione di massa, sono in fase di sperimentazione ma se i lavori vanno a buon fine, non trascorrerà molto tempo prima di avere memorie flash molto più avanzate, di piccole dimensioni, potenti e allo stesso tempo economiche.
Non ci resta che attendere.
